توضیحات
Si2302 یک ماسفت N-کانال با فناوری TrenchMOS است که به دلیل سرعت بالا، مصرف انرژی پایین و ابعاد کوچک، یک انتخاب ایدهآل برای طیف وسیعی از کاربردها ارائه میدهد. این ماسفت به گونهای طراحی شده است که در مدارهای مدیریت انرژی، DC-DC کانورترها، و کلیدهای بار SMD، عملکردی بینظیر داشته باشد.
مشخصات فنی:
نوع قطعه: ماسفت (MOSFET)
نوع کانال: N-Channel
فناوری ساخت: TrenchMOS
پکیج: SOT-23 (سهپایه)
ولتاژ درین-سورس (Vds): 20 ولت
ولتاژ گیت-سورس (Vgs): ±8 ولت
جریان پیوسته درین (Id): 2.5 آمپر (در 25°C)
جریان لحظهای درین (Idm): 10 آمپر (پالس کوتاه)
مقاومت درین-سورس در حالت روشن (Rds(on)):
- حداکثر 85 میلیاهم (در Vgs=4.5V)
- حداکثر 115 میلیاهم (در Vgs=2.5V)
ولتاژ آستانه گیت (Vgs(th)): حداقل 0.65 ولت
بار گیت کل (Qg): 5.4 نانوکوئولن (در 4.5V)
ظرفیت ورودی (Ciss): 230 پیکوفاراد
زمان تأخیر روشن شدن (td(on)): حداکثر 20 نانوثانیه
زمان تأخیر خاموش شدن (td(off)): حداکثر 100 نانوثانیه
ولتاژ دیود داخلی (VSD): حداکثر 1.2 ولت (در 1.6 آمپر)
توان تلفاتی (Ptot): 0.83 وات (در 25°C)
مقاومت حرارتی (Rθj-sp): 150°C/W
دمای کاری: -65 تا +150 درجه سانتیگراد
کاربردها:
مبدلهای DC-DC کممصرف
کلیدهای بار در دستگاههای پرتابل
سیستمهای مدیریت انرژی
کنترل PWM LED
درایور موتورهای کوچک
سوئیچینگ توسط میکروکنترلر
حفاظت ولتاژ معکوس
مدارهای شارژ باتری
تجهیزات IoT کممصرف
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.