توضیحات
IRFB4110 یک ماسفت قدرت N-Channel است که برای کاربردهای جریان بالا و راندمان بالا طراحی شده است. این قطعه به دلیل مقاومت بسیار پایین در حالت روشن و توان تلفاتی بالا، در مدارهای قدرت حرفهای استفاده میشود.
مشخصات فنی:
فناوری ساخت: Silicon
نوع ترانزیستور: MOSFET
نوع کانال: N-Channel
تعداد کانال: 1 Channel
Drain-Source (VDS) ولتاژ: 100V
جریان Drain مداوم (ID): 180 آمپر
مقاومت در حالت روشن (RDS(on)): 3.7 mΩ
Gate-Source (VGS) ولتاژ: ±20V
ولتاژ آستانه گیت (VGS(th)): 1.8 ولت
Total Gate Charge (Qg) بار گیت: 150nC
توان تلفاتی (Pd): 370 وات
دمای کاری: -55 تا +175 درجه سانتیگراد
مد عملکرد: Enhancement Mode
پکیج: TO-220-3
نوع نصب: Through Hole
ویژگیها:
جریاندهی بسیار بالا تا 180 آمپر
مقاومت بسیار پایین در حالت روشن (3.7 mΩ)
توان تلفاتی بالا تا 370 وات
مناسب برای سوئیچینگ سریع و راندمان بالا
تحمل دمایی گسترده
کاربردها:
منابع تغذیه سوئیچینگ
درایور موتورهای سنگین
اینورترهای قدرت بالا
سیستمهای توزیع توان
مدارهای صنعتی جریان بالا
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.