توضیحات
ترانزیستور G80N60UFD یک ترانزیستور IGBT مبتنی بر فناوری Si است که برای کاربردهای سوئیچینگ توان بالا و فرکانس متوسط طراحی شده است. این قطعه با ولتاژ کلکتور-امیتر 600 ولت و جریان کلکتور پیوسته 80 آمپر در دمای 25 درجه سانتیگراد، توانایی راهاندازی بارهای سنگین در سیستمهای صنعتی و منابع تغذیه را فراهم میکند. ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر 2.1 ولت نشاندهنده تلفات هدایتی کنترلشده در حالت روشن است. محدوده ولتاژ گیت-امیتر 20± ولت انعطاف لازم برای طراحی مدار درایور گیت استاندارد را فراهم میکند. توان اتلافی 195 وات همراه با بازه دمای کاری 55- تا 175+ درجه سانتیگراد، این قطعه را برای شرایط کاری سخت و محیطهای صنعتی مناسب میسازد. پکیج TO-3PN از نوع Through Hole بوده و امکان نصب روی هیتسینک برای دفع مؤثر حرارت را فراهم میکند.
مشخصات فنی:
نوع قطعه: IGBT (ترانزیستور دوقطبی گیتعایق)
فناوری ساخت: سیلیکون (Si)
تعداد کانال: تککاناله (Single Channel)
ولتاژ کلکتور–امیتر (VCEO Max): 600 ولت
ولتاژ اشباع کلکتور–امیتر (VCE(sat)): 2.1 ولت
ولتاژ گیت–امیتر: ±20 ولت
توان اتلاف (Pd): 195 وات
دمای کاری:
- حداقل: 55- درجه سانتیگراد
- حداکثر: 175+ درجه سانتیگراد
نوع نصب: Through Hole
پکیج: TO-3PN
کاربردها:
این IGBT برای سوئیچینگ توان بالا در مدارهای قدرت طراحی شده و در کاربردهای جریان بالا عملکرد پایدار و قابلاعتمادی دارد. استفاده از هیتسینک مناسب برای عملکرد بهینه ضروری است.
اینورترهای جوشکاری
درایو موتورهای صنعتی
منابع تغذیه سوئیچینگ توان بالا
سیستمهای UPS
مبدلهای DC به AC
مدارهای PFC (اصلاح ضریب توان)
سیستمهای انرژی خورشیدی
گرمایش القایی
مدارهای نیمپل و فولپل
کنترلکنندههای توان صنعتی
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.