توضیحات
ماسفت IRF610 یک ترانزیستور MOSFET (مجتمعهای فتو-مانع) از نوع N-کانال است که به دلیل مشخصات فنی خود، برای کاربردهای برنامهنویسی و مدلسازی الکترونیک، و همچنین در تجهیزات کوچک با جریانهای پایین تا متوسط، مناسب است. این ماسفت دارای ولتاژ Drain-Source (Vds) برابر با 200 ولت است که به آن امکان میدهد تا در شرایط عملی مختلف، جریانهای بالا را به طور ایمن مدیریت کند. جریان Drain پیوسته (Id) آن 2.3 آمپر است و برای کاربردهایی که نیاز به توان نسبتاً کمی دارند، کافی است. مقاومت روشن (Rds On) آن 1.5 اهم است که تلفات توان ناشی از جریان عبوری را به حداقل میرساند و راندمان مدار را بهبود میبخشد. به دلیل پکیج TO-220-3، نصب آن آسان است و میتوانید از هیتسینک برای دفع حرارت تکمیلی استفاده کنید. زمان Fall (زمان خروج جریان) آن 8.9 نانوثانیه و زمان Rise (ورود جریان) آن 17 نانوثانیه است که به معنی پاسخگویی نسبتاً سریع آن است. این ماسفت، یک انتخاب کارآمد و مناسب برای طیف وسیعی از پروژههای الکترونیکی کوچک و برنامهنویسی میباشد.
مشخصات فنی:
مدل: IRF610
نوع ترانزیستور: MOSFET
قطبیت ترانزیستور: N-Channel
تعداد کانال: 1 Channel
مشخصات الکتریکی
ولتاژ درین-سورس (Vds): 200 ولت
جریان درین پیوسته (Id): 2.3 آمپر
مقاومت درین-سورس در حالت روشن (Rds On): 1.5 اهم
ولتاژ گیت-سورس (Vgs): ±20 ولت
توان اتلاف (Pd): 36 وات
مشخصات سوئیچینگ
زمان نزول (Fall Time): 8.9 نانوثانیه زمان صعود (Rise Time): 17 نانوثانیه
مشخصات دمایی
حداقل دمای کاری: -55 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای کاری: +175 درجه سانتیگراد
مشخصات فیزیکی
پکیج: TO-220-3
نوع نصب: Through Hole
ابعاد: 9.01 میلیمتر × 10.41 میلیمتر
کاربردها:
مدارهای کنترل کوچک
درایورهای LED
منابع تغذیه سوئیچینگ
مدارهای سوئیچینگ DC
پروژههای DIY و آموزشی
مدارهای الکترونیکی عمومی
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.