توضیحات
ماسفت Si2301 یک ترانزیستور P-Channel MOSFET از نوع TrenchMOS است که با پکیج SOT-23 طراحی شده و برای کاربردهای سطح نصب (SMD) در مدارهای الکترونیکی کوچک و پرتابل ایدهآل است. این ماسفت به دلیل طراحی TrenchMOS، امکان سوئیچینگ سریع و افزایش راندمان را فراهم میکند. با ولتاژ Drain-Source (VDS) حداکثر 20 ولت و جریان خروجی مداوم تا 2.3 آمپر، Si2301 در بسیاری از کاربردهای ولتاژ پایین و پرجریان قابلیت استفاده دارد. خاصیت اصلی این ماسفت، امکان سوئیچینگ معکوس جریان است که در کاربردهایی مانند درایورهای DC-DC و کنترل توان بسیار مفید است. RDS(on) پایین آن (حداکثر 0.130 اهم در VGS = -4.5V) باعث میشود تلفات توان کمتری در حالت روشن داشته باشد و در نتیجه، عملکرد مدار بهینهتر شود. پکیج SOT-23-3 آن نیز به نصب آسان آن بر روی بردهای PCB کمک میکند. در مجموع، Si2301 یک ماسفت سریع، کممصرف و با قابلیت اطمینان بالا است که برای کاربردهای متنوع در حوزه الکترونیک، به ویژه در پروژههای SMD مناسب است.
مشخصات فنی:
نوع قطعه: P-Channel MOSFET
تعداد کانال: 1 Channel
پکیج: SOT-23 (نصب سطحی – SMD)
مشخصات الکتریکی
ولتاژ درین-سورس (Vds): 20 ولت
جریان درین (Id): تا 2.3 آمپر
مقاومت درین-سورس در حالت روشن (RDS(on)): حداکثر 0.130 اهم @ VGS = -4.5V
مشخصات سوئیچینگ
زمان تأخیر روشن شدن (td(on)): حداکثر 25 نانوثانیه
زمان تأخیر خاموش شدن (td(off)): حداکثر 70 نانوثانیه
مشخصات توان و دما
توان اتلاف (Pd): حداکثر 1.25 وات @ 25°C
محدوده دمای کاری: -55°C تا +150°C
مشخصات اضافی
ظرفیت ورودی: 415 پیکوفاراد
ظرفیت خروجی: 223 پیکوفاراد
بار گیت: 10 نانوکوئولن
ولتاژ دیود داخلی: -1.2 ولت @ 1.6A
کاربردها:
سوئیچینگ خطوط تغذیه مثبت
مبدلهای DC-DC
مدارهای کممصرف و IoT
کنترل بار در سیستمهای ولتاژ پایین
محافظت در برابر اتصال معکوس
درایور LED و موتورهای کوچک
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.