توضیحات
ترانزیستور ماسفت FMV13N60S1 یک MOSFET قدرت کانال N از جنس سیلیکون (Si) است که با ولتاژ 600 ولت و جریان 13 آمپر برای کاربردهای سوئیچینگ ولتاژ بالا، منابع تغذیه SMPS و مدارهای قدرت صنعتی طراحی شده است. این قطعه با پکیج TO-220FP عایقدار، امکان نصب آسان روی هیتسینک و دفع حرارت مناسب را فراهم میکند و برای کاربردهای پایدار و طولانیمدت گزینهای قابل اعتماد محسوب میشود.
مشخصات فنی:
نوع قطعه: MOSFET
نوع کانال: N-Channel
مدل (P/N): FMV13N60S1
ماده: Silicon (Si)
نوع پکیج: TO-220FP
نوع نصب: Through Hole (DIP)
تعداد پایه: 3
حداکثر توان دفع حرارت (Pd): 43 وات
Drain-Source (VDS) حداکثر ولتاژ: 600 ولت
Drain (ID) حداکثر جریان: 13 آمپر
Gate-Source (VGS) حداکثر ولتاژ: ±30 ولت
Gate (VGS(th)) ولتاژ آستانه: 3.5 ولت
مقاومت حالت روشن (RDS(on)): 0.28 اهم
بار کل گیت (Qg): 35 نانوکولن
Drain-Source (Cd) ظرفیت: 200 پیکوفاراد
زمان روشن شدن (tr): 38 نانوثانیه
حداکثر دمای پیوند (Tj): 150 درجه سانتیگراد
نوع کنترل: ولتاژی (Voltage Controlled)
پایهها: Gate، Drain، Source
ویژگیها:
تحمل ولتاژ بالا تا 600 ولت مناسب برای کاربردهای صنعتی و SMPS
جریان 13 آمپر مناسب برای مدارهای قدرت متوسط
مقاومت روشن 0.28 اهم برای تعادل بین راندمان و کنترل حرارت
سرعت سوئیچینگ مناسب با زمان Rise برابر 38 نانوثانیه
بار گیت 35 نانوکولن برای عملکرد پایدار در سوئیچینگ
تحمل حرارتی مناسب تا 150 درجه سانتیگراد
پکیج TO-220FP عایقدار با نصب آسان روی هیتسینک
مناسب برای طراحی مدارهای قدرت ولتاژ بالا
کاربردها:
منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)
مبدلهای AC-DC و DC-DC
درایورهای موتور
مدارهای اصلاح ضریب توان (PFC)
اینورترهای صنعتی
تجهیزات مخابراتی
سیستمهای مدیریت انرژی
مدارهای کنترل توان ولتاژ بالا
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.