توضیحات
ترانزیستور ماسفت 2SK3649 یک MOSFET قدرت کانال N از جنس سیلیکون (Si) است که با ولتاژ 150 ولت و جریان 33 آمپر برای کاربردهای توان متوسط تا بالا، سوئیچینگ سریع و مدارهای قدرت طراحی شده است. این قطعه با پکیج TO-220FP عایقدار، قابلیت دفع حرارت مناسب و نصب آسان روی هیتسینک را فراهم میکند و برای منابع تغذیه، درایورها و مدارهای کنترلی گزینهای قابل اعتماد محسوب میشود.
مشخصات فنی:
نوع قطعه: MOSFET
نوع کانال: N-Channel
مدل (P/N): 2SK3649
ماده: Silicon (Si)
نوع پکیج: TO-220FP
نوع نصب: Through Hole (DIP)
تعداد پایه: 3
حداکثر توان دفع حرارت (Pd): 53 وات
Drain-Source (VDS) حداکثر ولتاژ: 150 ولت
Drain (ID) حداکثر جریان: 33 آمپر
Gate-Source (VGS) حداکثر ولتاژ: ±30 ولت
Gate (VGS(th)) ولتاژ آستانه: 5 ولت
مقاومت حالت روشن (RDS(on)): 0.07 اهم
بار کل گیت (Qg): 34 نانوکولن
Drain-Source (Cd) ظرفیت: 200 پیکوفاراد
زمان روشن شدن (tr): 15 نانوثانیه
حداکثر دمای پیوند (Tj): 150 درجه سانتیگراد
نوع کنترل: ولتاژی (Voltage Controlled)
پایهها: Gate، Drain، Source
ویژگیها:
توان جریان بالا تا 33 آمپر مناسب برای کاربردهای قدرت
مقاومت روشن پایین 0.07 اهم برای کاهش تلفات توان
سرعت سوئیچینگ مناسب با زمان Rise برابر 15 نانوثانیه
تحمل حرارتی بالا تا 150 درجه سانتیگراد
پکیج TO-220FP عایقدار با نصب آسان روی هیتسینک
بار گیت 34 نانوکولن برای عملکرد پایدار در سوئیچینگ
مناسب برای مدارهای قدرت و کاربردهای صنعتی
کیفیت ساخت مناسب برای کاربردهای مداوم
کاربردها:
منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)
درایورهای موتور DC و BLDC
مبدلهای DC-DC
مدارهای قدرت و کنترل جریان
تجهیزات صنعتی و اتوماسیون
اینورترهای توان متوسط
سیستمهای مدیریت انرژی
مدارهای سوئیچینگ پرجریان
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.