توضیحات
به دنبال یک ترانزیستور MOSFET با جریان درین بالا و زمنیات صعود و نزول بسیار پایین برای کاربردهای سوئیچینگ با دقت بالا هستید؟ IRF640N یک MOSFET N-Channel با مشخصات عالی است که به شما امکان میدهد تا سیستمهای الکترونیکی خود را با سرعت و precisioن کنترل کنید. با جریان درین حداکثر 18 آمپر و زمنیات صعود و نزول کم، این MOSFET برای کاربردهای سوئیچینگ که نیازمند پاسخدهی سریع و عملکرد دقیق هستند، ایدهآل است.
مشخصات فنی:
- نوع: MOSFET N-Channel
- حداکثر ولتاژ درین-سورس (Vds): 200 ولت – برای ولتاژهای بالا و کاربردهای demanding
- حداکثر جریان درین (Id): 18 آمپر – جریان بالا برای کاربردهای سوئیچینگ و درایو موتورهای با جریان بالا
- حداکثر ولتاژ گیت-سورس (Vgs): 20 ولت – سازگاری با منابع تغذیه گیت رایج
- حداکثر توان اتلافی (Pd) در Tc=25°C: 150 وات – توان حرارتی بالا برای کارکرد ایمن و پایدار
- تعداد پایه: 3 پایه – انعطافپذیری در طراحی مدار
- پکیج: TO-220AB – پکیج استاندارد برای نصب آسان و تهویه مناسب
- پارت نامبر: IRF640 – شناسه یکتا برای شناسایی و سفارش محصول
- زمن صعود (Tr): 19 نانوثانیه – زمان پاسخدهی سریع در حالت روشن، کاهش تلفات سوئیچینگ
- زمن نزول (Trr): 5.5 نانوثانیه – زمان پاسخدهی بسیار سریع در حالت خاموش، افزایش بهرهوری
- محدوده دمای کاری: -55 تا 175 درجه سانتیگراد – کارایی در شرایط محیطی متنوع
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.