توضیحات
ترانزیستور IRF640 یک ماسفت قدرت N-Channel با فناوری سیلیکونی است که برای سوئیچینگ سریع و کنترل بارهای توان بالا طراحی شده است. این قطعه با تحمل 200 ولت ولتاژ درین به سورس، جریان 18 آمپر و توان تلفاتی 125 وات، انتخابی مناسب برای منابع تغذیه سوئیچینگ، اینورترها، کنترل موتور، UPS و تجهیزات صنعتی محسوب میشود.
مشخصات فنی:
نوع محصول: ترانزیستور MOSFET قدرت
مدل: IRF640
نوع ترانزیستور: N-Channel MOSFET
فناوری ساخت: Silicon (Si)
تعداد کانال: 1
نوع پلاریته: N-Channel
ولتاژ درین به سورس (VDS): 200 ولت
حداکثر جریان درین (ID): 18 آمپر
مقاومت روشن (RDS(on)): 180 میلیاهم
حداکثر ولتاژ گیت به سورس (VGS): ±20 ولت
حداکثر توان تلفاتی (PD): 125 وات
زمان روشن شدن (Turn-On Delay): 14 نانوثانیه
زمان خاموش شدن (Turn-Off Delay): 45 نانوثانیه
زمان افزایش (Rise Time): 51 نانوثانیه
زمان کاهش (Fall Time): 36 نانوثانیه
حداکثر دمای کاری: 150+ درجه سانتیگراد
حداقل دمای کاری: 55- درجه سانتیگراد
پکیج: TO-220-3
نوع نصب: Through Hole
عرض بدنه: 4.7 میلیمتر
وزن: 6 گرم
ویژگیها:
ماسفت قدرت N-Channel
تحمل ولتاژ بالا تا 200 ولت
جریان خروجی تا 18 آمپر
سوئیچینگ سریع
مقاومت روشن پایین
تحمل توان بالا
مناسب برای نصب روی هیتسینک
پکیج استاندارد TO-220
کاربردها:
منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)
اینورترها
کنترل دور موتور DC
مدارهای PWM
درایور موتور
تجهیزات صنعتی
UPS
تقویتکنندههای توان
پروژههای الکترونیک قدرت
مزایا:
سرعت سوئیچینگ بالا
تحمل ولتاژ و جریان مناسب
اتلاف توان کم
قابلیت اطمینان بالا
نصب آسان
مناسب برای کاربردهای صنعتی و نیمهصنعتی
نکته:
برای دستیابی به عملکرد مطلوب در جریانهای بالا، استفاده از هیتسینک مناسب الزامی است. همچنین برای راهاندازی کامل IRF640 معمولاً به ولتاژ گیت حدود 10 ولت نیاز است؛ بنابراین این قطعه Logic Level محسوب نمیشود و برای راهاندازی مستقیم با خروجی 3.3 ولت یا 5 ولت میکروکنترلرها توصیه نمیشود، مگر اینکه از مدار درایور گیت مناسب استفاده شود.
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.