توضیحات
این ماسفت FMR19N60E، یک ماسفت N-کاناله (N-Channel MOSFET) است که برای کاربردهای قدرت و سوئیچینگ طراحی شده است. این ماسفت با پکیج TO-3P/TO-3PF ارائه میشود و به دلیل توانایی بالایی که دارد، در تجهیزات صنعتی، رباتیک، و سیستمهای الکترونیکی قدرت بسیار مورد استفاده قرار میگیرد.
مشخصات فنی:
نوع قطعه: MOSFET
نوع کانال: N-Channel
مدل (P/N): FMR19N60E
نوع پکیج: TO-3P
حداکثر توان دفع حرارت (Pd): 150 وات
Drain-Source (VDS) حداکثر ولتاژ: 600 ولت
Gate-Source (VGS) حداکثر ولتاژ: 30 ولت
Gate (VGS(th)) ولتاژ آستانه: 3.5 ولت
Drain (ID) حداکثر جریان: 19 آمپر
حداکثر دمای پیوند (Tj): 150 درجه سانتیگراد
بار کل گیت (Qg): 105 نانوکولن
زمان روشن شدن (tr): 13 نانوثانیه
ظرفیت خروجی (Cd): 310 پیکوفاراد
مقاومت حالت روشن (RDS(on)): 0.365 اهم
ویژگیها:
تحمل ولتاژ بالا تا 600 ولت برای استفاده در منابع تغذیه سوئیچینگ و تجهیزات صنعتی
جریان عبوری 19 آمپر مناسب برای مدارهای قدرت و کاربردهای جریان متوسط تا بالا
توان اتلافی 150 وات برای عملکرد پایدار در شرایط کاری سنگین
مقاومت روشن 0.365 اهم جهت کاهش تلفات توان و افزایش راندمان مدار
سرعت سوئیچینگ بالا با زمان Rise برابر 13 نانوثانیه
بار گیت 105 نانوکولن برای عملکرد پایدار در مدارهای سوئیچینگ توان
ظرفیت خروجی 310 پیکوفاراد جهت بهبود عملکرد در کاربردهای فرکانس بالا
پکیج TO-3P عایقدار با قابلیت نصب آسان روی هیتسینک
حداکثر دمای پیوند 150 درجه سانتیگراد برای اطمینان از عملکرد مطمئن در محیطهای صنعتی
کاربردها:
منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)
اینورترها و مبدلهای DC-DC
مدارهای اصلاح ضریب توان (PFC)
درایور موتورهای الکتریکی
سیستمهای UPS و منابع تغذیه پشتیبان
مدارهای کنترل توان و سوئیچینگ ولتاژ بالا
تجهیزات صنعتی و مخابراتی
سیستمهای انرژی خورشیدی و تجهیزات مدیریت توان
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.