توضیحات
ماسفت IRF630 یک ترانزیستور MOSFET از نوع N-Channel است که بهطور ویژه برای کاربردهایی با جریان متوسط و ولتاژ بالا طراحی شده است. این ماسفت به دلیل سرعت سوئیچینگ بالا و مقاومت پایین در حالت روشن، انتخاب مناسبی برای مدارهای سوئیچینگ با توان متوسط است.
این ماسفت با ولتاژ شکست 200 ولت و جریان پیوسته درین 9 آمپر، قادر به مدیریت جریانهای مناسب برای کاربردهای مختلف است. مقاومت درین-سورس در حالت روشن (Rds) این ماسفت تنها 400 مگااهم است، که تلفات توان را کاهش میدهد و عملکرد کلی سوئیچ را بهبود میبخشد.
ویژگیهای کلیدی IRF630:
- جریان متوسط: جریان پیوسته درین 9 آمپر برای کاربردهای با جریان متوسط مناسب است.
- مقاومت روشنشدگی پایین: Rds = 400 مگااهم به معنای کاهش تلفات توان و بهبود راندمان در سوئیچینگ است.
- ولتاژ بالا: ولتاژ شکست 200 ولت، امکان استفاده در مدارات با ولتاژ بالا را فراهم میکند.
مشخصات فنی:
نوع ترانزیستور: N-Channel MOSFET
مدل/نوع: Enhancement Mode
مشخصات الکتریکی
ولتاژ درین-سورس (Vds): 200 ولت
جریان پیوسته درین (Id): 9 آمپر
مقاومت درین-سورس در حالت روشن (Rds): 400 میلیاهم
ولتاژ گیت-سورس (Vgs): ±20 ولت (قابلیت کار با ولتاژ مثبت و منفی)
ولتاژ آستانه گیت (Vgs(th)): 2 ولت
بار گیت (Qg): 31 نانوکولن
توان اتلاف (Pd): 75 وات
Forward Transconductance (gfs): حداقل 3 زیمنس
مشخصات حرارتی
دمای اتصال (Tj): -65 درجه سانتیگراد تا +150 درجه سانتیگراد
مشخصات فیزیکی
ارتفاع: 9.15 میلیمتر
طول: 10.4 میلیمتر
بستهبندی: Tube
تعداد کانال: Single
کاربردها:
مدارهای سوئیچینگ DC-DC با توان متوسط
درایورهای LED
مدارهای کنترل جریان متوسط و منابع تغذیه سوئیچینگ
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.