توضیحات
ترانزیستور FGA25N120 IGBT یک ترانزیستور توان بالا با فناوری NPT Trench است که برای کاربردهای متنوع در مدارهای قدرت و کنترل صنعتی طراحی شده است. این IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) با ولتاژ 1200V و جریان 25A، گزینهای ایدهآل برای درایور موتور و گرمایش القایی و سایر موارد مشابه است. این مدل از ترانزیستور FGA25N120 از نوع IGBT NPT Trench بهره میبرد و ترکیبی از ویژگیهای ترانزیستور MOSFET و BJT را ارائه میدهد تا راندمان بالا و توان سوئیچینگ زیاد را همزمان فراهم کند. ولتاژ کلکتور–امیتر 1200V و جریان پیوسته 25A، همراه با قابلیت تحمل جریان لحظهای تا 90A، این قطعه را برای کاربردهای demanding مناسب میسازد. افت ولتاژ اشباع پایین (VCEsat≈2.0V) در جریان 25A و دمای 25°C موجب کاهش تلفات توان و افزایش راندمان سیستم میشود. از دیگر ویژگیهای مهم این قطعه، اتلاف سوئیچینگ پایین (Eoff≈0.96mJ)، تحمل حرارتی بالا، و توان تلفاتی کل 312W در دمای 25°C است. وجود دیود هرزگرد داخلی (Freewheeling Diode) با زمان بازیابی معکوس trr≈235ns و بار بازیابی Qrr≈3130nC باعث عملکرد مطمئن در مدارهای القایی و سوئیچینگ نرم میگردد. بدنهی پکیج TO-3PN (EIAJ SC-65) امکان نصب بر روی هیتسینک و دفع مؤثر حرارت را فراهم میکند.
مشخصات فنی:
نوع قطعه: ترانزیستور IGBT
سری: FGA25N120
نوع تکنولوژی: NPT Trench IGBT
قطبیت: N-Channel
ولتاژ کلکتور–امیتر (VCES): 1200 ولت
ولتاژ گیت–امیتر (VGES): ±20 ولت
جریان کلکتور:
- در دمای 25°C: 50 آمپر
- در دمای 100°C: 25 آمپر
جریان پالس کلکتور (ICM): 90 آمپر
توان تلفاتی (PD): 312 وات (در TC=25°C)
ولتاژ اشباع کلکتور–امیتر (VCE(sat)): 2.0 ولت (typ @ 25A)
افت ولتاژ دیود (VFM): 2.0 تا 3.0 ولت
زمان تأخیر روشن (td(on)): 50 نانوثانیه
زمان خاموشی (td(off)): 190 نانوثانیه
مقاومت حرارتی اتصال به بدنه (RthJC): 0.4 درجه سانتیگراد بر وات
دمای کاری: -55 درجه سانتیگراد تا +150 درجه سانتیگراد
کاربردها:
اینورترها و منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)
درایو موتورهای صنعتی
مدارات قدرت و کنترل توان
UPS و سیستمهای برق اضطراری
سیستمهای گرمایشی و القایی
مبدلهای DC-DC توان بالا
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.