توضیحات
ترانزیستور IRF3205 یک ماسفت قدرت N-Channel با مقاومت روشن بسیار پایین و قابلیت عبور جریان بالا است که برای کاربردهای قدرت، سوئیچینگ، اینورترها، کنترل موتور، منابع تغذیه سوئیچینگ و سیستمهای باتری طراحی شده است. این قطعه با تحمل 110 آمپر جریان، 55 ولت ولتاژ و توان تلفاتی 200 وات، یکی از پرکاربردترین ماسفتهای قدرت در تجهیزات صنعتی و پروژههای الکترونیکی محسوب میشود.
مشخصات فنی:
نوع محصول: ترانزیستور MOSFET قدرت
مدل: IRF3205
نوع ترانزیستور: N-Channel MOSFET
تعداد کانال: 1
نوع پلاریته: N-Channel
ولتاژ درین به سورس (VDS): 55 ولت
حداکثر جریان درین (ID): 110 آمپر
مقاومت روشن (RDS(on)): 8 میلیاهم
حداکثر ولتاژ گیت به سورس (VGS): ±20 ولت
حداکثر توان تلفاتی (PD): 200 وات
زمان روشن شدن (Turn-On Delay): 14 نانوثانیه
زمان خاموش شدن (Turn-Off Delay): 50 نانوثانیه
زمان افزایش (Rise Time): 101 نانوثانیه
زمان کاهش (Fall Time): 65 نانوثانیه
حداکثر دمای کاری: 175+ درجه سانتیگراد
حداقل دمای کاری: 55- درجه سانتیگراد
پکیج: TO-220-3
نوع نصب: Through Hole
ابعاد بدنه:
- طول: 10.54 میلیمتر
- ارتفاع: 8.77 میلیمتر
ویژگیها:
ماسفت قدرت N-Channel
مقاومت روشن بسیار پایین (8 میلیاهم)
قابلیت عبور جریان تا 110 آمپر
توان تلفاتی بالا
سوئیچینگ سریع
پکیج استاندارد TO-220
مناسب برای نصب روی هیتسینک
کاربردها:
منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)
اینورترهای DC به AC
کنترل دور موتور DC
شارژرهای باتری
سیستمهای UPS
درایور موتور
کنترلرهای PWM
تجهیزات خورشیدی
تجهیزات صنعتی
پروژههای الکترونیک قدرت
مزایا:
قابلیت عبور جریان بسیار بالا
افت ولتاژ و تلفات توان بسیار کم
سرعت سوئیچینگ مناسب
راندمان بالا
پایداری حرارتی مناسب
قابلیت استفاده در مدارهای توان بالا
نکته:
ماسفت IRF3205 برای رسیدن به کمترین مقدار RDS(on) معمولاً به ولتاژ گیت حدود 10 ولت نیاز دارد؛ بنابراین یک ماسفت Logic Level محسوب نمیشود و برای راهاندازی مستقیم توسط خروجی 3.3 ولت یا 5 ولت میکروکنترلرها بهتر است از درایور گیت استفاده شود. همچنین در جریانهای بالا استفاده از هیتسینک مناسب و طراحی صحیح مسیرهای PCB برای دستیابی به عملکرد پایدار ضروری است.
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.