توضیحات
ترانزیستور IRF530 یک ماسفت قدرت N-Channel با تحمل 100 ولت ولتاژ و 14 آمپر جریان است که برای سوئیچینگ سریع، کنترل بارهای DC، منابع تغذیه سوئیچینگ، درایور موتور و تجهیزات صنعتی طراحی شده است. این ماسفت با توان تلفاتی 88 وات، عملکرد پایدار و سرعت سوئیچینگ مناسب، گزینهای ایدهآل برای انواع مدارهای قدرت و الکترونیکی محسوب میشود.
مشخصات فنی:
نوع محصول: ترانزیستور MOSFET قدرت
مدل: IRF530
نوع ترانزیستور: N-Channel MOSFET
تعداد کانال: 1
نوع پلاریته: N-Channel
ولتاژ درین به سورس (VDS): 100 ولت
حداکثر جریان درین (ID): 14 آمپر
مقاومت روشن (RDS(on)): 160 میلیاهم
حداکثر ولتاژ گیت به سورس (VGS): ±20 ولت
حداکثر توان تلفاتی (PD): 88 وات
زمان روشن شدن (Turn-On Delay): 10 نانوثانیه
زمان خاموش شدن (Turn-Off Delay): 23 نانوثانیه
زمان افزایش (Rise Time): 34 نانوثانیه
زمان کاهش (Fall Time): 24 نانوثانیه
حداکثر دمای کاری: 175+ درجه سانتیگراد
حداقل دمای کاری: 55- درجه سانتیگراد
پکیج: TO-220-3
نوع نصب: Through Hole
ابعاد بدنه:
- طول: 10.41 میلیمتر
- ارتفاع: 9.01 میلیمتر
ویژگیها:
ماسفت قدرت N-Channel
تحمل ولتاژ تا 100 ولت
قابلیت عبور جریان تا 14 آمپر
سوئیچینگ سریع
توان تلفاتی مناسب
پکیج استاندارد TO-220
مناسب برای نصب روی هیتسینک
کاربردها:
منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)
کنترل دور موتور DC
مدارهای PWM
درایور موتور
کنترل بارهای DC
اینورترها
سیستمهای UPS
تجهیزات صنعتی
پروژههای الکترونیک قدرت
مزایا:
سرعت سوئیچینگ بالا
تحمل ولتاژ مناسب
عملکرد پایدار
راهاندازی آسان
قیمت مناسب
مناسب برای کاربردهای عمومی و صنعتی
نکته:
ماسفت IRF530 برای دستیابی به عملکرد بهینه و کمترین مقدار RDS(on) معمولاً به ولتاژ گیت حدود 10 ولت نیاز دارد و در دسته ماسفتهای Logic Level قرار نمیگیرد. در صورت استفاده با میکروکنترلرهای 3.3 ولت یا 5 ولت، استفاده از درایور گیت توصیه میشود. همچنین برای بارهای با جریان بالا، استفاده از هیتسینک مناسب جهت دفع حرارت و افزایش طول عمر قطعه ضروری است.
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.