توضیحات
ترانزیستور IRF840 یک ماسفت قدرت N-Channel از نوع Enhancement Mode با فناوری سیلیکونی است که برای کاربردهای ولتاژ بالا، منابع تغذیه سوئیچینگ، اینورترها، درایور موتور و تجهیزات صنعتی طراحی شده است. این ماسفت با تحمل 500 ولت ولتاژ، 8 آمپر جریان و توان تلفاتی 125 وات، گزینهای مناسب برای مدارهای قدرت با ولتاژ بالا محسوب میشود.
مشخصات فنی:
نوع محصول: ترانزیستور MOSFET قدرت
مدل: IRF840
نوع ترانزیستور: N-Channel MOSFET
برند: Vishay Semiconductors
فناوری ساخت: Silicon (Si)
نوع کانال: Enhancement Mode
تعداد کانال: 1
نوع پلاریته: N-Channel
ولتاژ درین به سورس (VDS): 500 ولت
حداکثر جریان درین (ID): 8 آمپر
مقاومت روشن (RDS(on)): 850 میلیاهم
حداکثر ولتاژ گیت به سورس (VGS): ±20 ولت
حداکثر توان تلفاتی (PD): 125 وات
زمان روشن شدن (Turn-On Delay): 14 نانوثانیه
زمان خاموش شدن (Turn-Off Delay): 49 نانوثانیه
زمان افزایش (Rise Time): 23 نانوثانیه
زمان کاهش (Fall Time): 20 نانوثانیه
حداکثر دمای کاری: 150+ درجه سانتیگراد
حداقل دمای کاری: 55- درجه سانتیگراد
پکیج: TO-220-3
نوع نصب: Through Hole
ابعاد بدنه:
- طول: 10.41 میلیمتر
- ارتفاع: 9.01 میلیمتر
ویژگیها:
ماسفت قدرت N-Channel
تحمل ولتاژ بسیار بالا تا 500 ولت
قابلیت عبور جریان تا 8 آمپر
سرعت سوئیچینگ بالا
توان تلفاتی مناسب
پکیج استاندارد TO-220
قابل نصب روی هیتسینک
کاربردها:
منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)
اینورترها
بالاستهای الکترونیکی
درایور موتور
مدارهای PWM
تجهیزات صنعتی
مدارهای ولتاژ بالا
کنترل بارهای DC
پروژههای الکترونیک قدرت
مزایا:
تحمل ولتاژ بسیار بالا
سرعت سوئیچینگ مناسب
پایداری بالا در کاربردهای صنعتی
قابلیت اطمینان بالا
مناسب برای مدارهای قدرت ولتاژ بالا
نصب آسان
نکته:
ماسفت IRF840 برای روشن شدن کامل و دستیابی به کمترین مقدار RDS(on) معمولاً به ولتاژ گیت حدود 10 ولت نیاز دارد و در گروه ماسفتهای Logic Level قرار نمیگیرد. همچنین به دلیل مقاومت روشن نسبتاً بالا (850 میلیاهم)، برای کاربردهای ولتاژ بالا مناسبتر از کاربردهای جریان بسیار بالا است. در توانهای بالا، استفاده از هیتسینک مناسب و رعایت اصول طراحی مدار جهت افزایش بازده و طول عمر قطعه توصیه میشود.
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.