توضیحات
ماسفت IRFZ44N یک ترانزیستور MOSFET از نوع N-Channel است که توسط Infineon / IR تولید شده و به دلیل طراحی HEXFET و توانایی ارائه مقاومت روشنشدگی پایین (RDS(on))، برای کاربردهای سوئیچینگ با جریان متوسط تا بالا، انتخاب مناسبی بهویژه در بردهای آموزشی و نمونهسازی است.
این ماسفت با ولتاژ شکست 55 ولت و جریان پیوسته درین 49 آمپر، قادر است به طور موثری جریان را در سیستمهای سوئیچینگ و کنترل توان مدیریت کند. مقاومت درین-سورس در حالت روشن (RDS(on)) این ماسفت تنها 17.5 مگااهم است، که باعث کاهش تلفات توان و افزایش راندمان در مدارهای سوئیچینگ میشود.
ویژگیهای کلیدی IRFZ44N:
- جریان بالا: 49 آمپر جریان پیوسته درین، آن را برای کاربردهایی با جریان متوسط تا بالا مناسب میکند.
- مقاومت روشنشدگی پایین: RDS(on) = 17.5 مگااهم به معنای کاهش تلفات توان و افزایش راندمان است.
- پکیج رایج: ارائه در پکیج TO-220-3 که نصب آسان و مناسب برای پروژههای مختلف است.
مشخصات فنی:
نوع ترانزیستور: N-Channel HEXFET Power MOSFET
مشخصات الکتریکی
ولتاژ درین-سورس (Vds): 55 ولت
جریان پیوسته درین (Id): 49 آمپر
مقاومت درین-سورس در حالت روشن (RDS(on)): 17.5 میلیاهم
ولتاژ گیت-سورس (Vgs): 20 ولت
Forward Transconductance (gfs): حداقل 19 زیمنس
مشخصات حرارتی
دمای کاری: -55 درجه سانتیگراد تا +175 درجه سانتیگراد
مشخصات سوئیچینگ
زمان روشن شدن (Turn-On Delay Time): 12 نانوثانیه
زمان خاموش شدن (Turn-Off Delay Time): 44 نانوثانیه
زمان صعود (Rise Time): 60 نانوثانیه
زمان نزول (Fall Time): 45 نانوثانیه
مشخصات فیزیکی
پکیج: TO-220-3
کاربردها:
مدارهای سوئیچینگ DC-DC
درایورهای LED
مدارهای قدرت و سوئیچینگ سریع
بردهای نمونهسازی و پروژههای آموزشی
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.