توضیحات
MOSFET TSM6N50 N-Channel این MOSFET با ولتاژ breakdown 500 ولت و جریان مداوم 5.6 آمپر، قادر به پردازش جریانهای قابل توجه در سیستمهای سوئیچینگ است.
مشخصات فنی:
نوع ترانزیستور: ماسفت N-Channel
Drain-Source ولتاژ: 500 ولت
جریان Drain مداوم: 5.6 آمپر
مقاومت Rds On: 1.15 اهم
Gate-Source ولتاژ: 30 ولت
Gate-Source ولتاژ آستانه: 2 ولت
بار گیت: 25 نانوکولن
توان تلفاتی: 90 وات
زمان Rise: 40 نانوثانیه
زمان Fall: 45 نانوثانیه
نوع عملکرد: Enhancement Mode
پکیج: TO-251
ویژگیها:
مناسب برای کاربردهای ولتاژ بالا
سوئیچینگ سریع و راندمان بالا
تلفات کم در حالت روشن
کنترل آسان و دقیق توسط گیت
مناسب برای مدارهای فرکانس بالا
پایداری حرارتی مناسب
کاربردها:
منابع تغذیه سوئیچینگ
مبدلهای DC-DC
کنترل موتورهای DC
مدارهای شارژ سریع
اینورترها و مبدلهای ولتاژ
پروژههای الکترونیک قدرت
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.