توضیحات
ماسفت FMR19N60E، یک ماسفت N-Channel با مشخصات فنی عالی است که به طور خاص برای کاربردهای قدرت با جریان بالا و نیاز به کارایی حرارتی بالا طراحی شده است. این ماسفت با استفاده از فناوری نیمهرسانای سیلیکون (Si) ساخته شده و در پکیج TO-3PF قرار گرفته که این پکیج برای نصبهای بزرگ و برای استفاده در سیستمهای حرارتیسازی (heat sinking) مناسب است.
مشخصات فنی:
نوع قطعه: MOSFET – N-Channel
مدل (P/N): FMR19N60E
نوع پکیج: TO-3PF
حداکثر توان اتلاف (Pd): 150 وات
Drain-Source (VDS) حداکثر ولتاژ: 600 ولت
Gate-Source (VGS) حداکثر ولتاژ: 30 ولت
Gate (VGS(th)) ولتاژ آستانه: 3.5 ولت
Drain (ID) حداکثر جریان: 19 آمپر
حداکثر دمای پیوند (Tj): 150 درجه سانتیگراد
بار کل گیت (Qg): 105 نانوکولن
زمان روشن شدن (tr): 13 نانوثانیه
ظرفیت خروجی (Cd): 310 پیکوفاراد
مقاومت حالت روشن (RDS(on)): 0.365 اهم
ویژگیها:
ماسفت N-Channel قدرتی با تحمل ولتاژ بالا تا 600 ولت مناسب برای کاربردهای صنعتی
توان اتلافی 150 وات با قابلیت کار در شرایط حرارتی سنگین
جریان عبوری 19 آمپر مناسب برای مدارهای قدرت و سوئیچینگ متوسط تا سنگین
پکیج TO-3PF با سطح تماس بزرگ جهت دفع حرارت مؤثر و عملکرد پایدار
مقاومت روشن 0.365 اهم برای کنترل تلفات توان و افزایش راندمان مدار
بار گیت 105 نانوکولن برای عملکرد پایدار در سوئیچینگ
سرعت سوئیچینگ بالا با زمان Rise برابر 13 نانوثانیه
ظرفیت خروجی 310 پیکوفاراد برای عملکرد مناسب در کاربردهای فرکانس بالا
ساخت FUJI با کیفیت بالا و مناسب برای کاربردهای صنعتی و حساس
کاربردها:
منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)
اینورترها و مبدلهای DC-DC
مدارهای اصلاح ضریب توان (PFC)
درایور موتورهای صنعتی
سیستمهای UPS و منابع تغذیه اضطراری
تجهیزات جوشکاری و سیستمهای قدرت بالا
مدارهای کنترل توان و سوئیچینگ ولتاژ بالا
سیستمهای انرژی صنعتی و مبدلهای توان سنگین
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.